Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики для P5606HVG (60V 4.5A 2W N-Channel MOSFET) SO8 Транзистор несет исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.

P5606HVG (60V 4.5A 2W N-Channel MOSFET) SO8 Транзистор

Оценка покупателей: (0.0)
Наименование прибора: P5506HVG. Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W. Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V. Предельно допустимое... Подробнее
  • Артикул: 00000008244
  • 0
    Наличие в магазинах:
62 /шт
Способы доставки

Почта России

Транспортная компания

Самовывоз

Удобная оплата заказов

Наличными при получении

VIsa MasterCard МИР

Безналичный перевод

Понравилось? поделись с друзьями
Наименование прибора: P5506HVG. Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W. Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V. Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V. Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A. Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Время нарастания (tr): 8 ns. Выходная емкость (Cd): 80 pf.Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm. Тип корпуса: SOP8
Пока нет комментариев
Написать свой отзыв
Ваше Имя *
Email
Введите комментарий*
49 + ? = 50
Введите код*
Последние открытые
  • КОНТРОЛЬ И ПРОВЕРКА
    Товар проверяется перед продажей! И Вы можете проверить комплектность заказа при получении.
  • СКИДКИ И АКЦИИ!
    Мы предлагаем гибкую систему скидок для наших заказчиков и фиксированные скидки на текущие предложения.

Если Вам нужна помощь в выборе, звоните: 8 800 1000 468